雪雪了解到，目前的存储卡存储技术共分两大阵营，一类是MLC。

这是Intel在1997年率先提出的，它的工作方式有些像Rambus内存的QRSL技术，通过对浮动栅上的电荷数量进行精确控制，来使其转换出4种不同的存储状态，而这每一种状态都代表两个二进制数值（从00到11）。这种技术最大的好处是都够在不改变原有晶体管的数量基础上，提高一倍的容量。简单来说就是在相同的核心面积下，芯片的存储容量可以成倍的提升，这对于掌上设备繁密的PCB上是相当有实际作用的。不过MLC NAND有一个致命的缺陷就是稳定性，它产生坏块的可能性高达5％。

SLC 与 MLC 的参数对比：

Item SLC MLC 电压 3.3V/1.8V 3.3V 生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um 页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB 访问时间（最大） 25us 70us 页编程时间（典 型） 250us 1.2ms 可否局部编程 Yes No 擦写次数 100K 10K 数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S

而像Macrotron出品的这块MicroSD，由于采用了先进的SLC技术，其出错的几率仅为MLC的四分之一，在写入速度上更比MLC有着明显的优势。

另外在使用寿命与功耗上，SLC也全面领先MLC技术。