东芝56nm工艺、16GB容量嵌入式NAND闪存:将试产
东芝宣布,其56nm工艺、16GB容量嵌入式NAND闪存芯片已经成功实现商业化,很快就会试产并大规模量产。
东芝16GB NAND闪存符合多媒体存储卡联合会的MMCA v4.2标准,由八块2GB芯片加一块控制芯片堆叠而成,但仍保持在标准封装尺寸,并采用业界首创的56nm工艺生产。
东芝计划今年6月试产这种芯片,12月份量产。在那之前,东芝还将在本月开始出货8GB样品,7月份量产。东芝预计,从1GB到16GB每个型号的月出货量都将达到100万件。
除了8GB的iPhone,也许今后我们还可以看到16GB的iPhone,而且微硬盘的日子将越来越不好过,固态硬盘的容量也会越来越大,成本越来越低。
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责任编辑:lukeluk
文章来源:驱动之家
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